La carrera por la infraestructura que sostendrá la próxima ola de Inteligencia Artificial (IA) ha comenzado a expandir sus horizontes. Ya no se trata únicamente de unidades de procesamiento gráfico (GPU) o memoria de alto ancho de banda (HBM); ahora, el enfoque también se dirige hacia el almacenamiento. En este contexto, Samsung y NVIDIA están tomando medidas significativas. Aunque no hay signos de un anuncio comercial tradicional ni indicios de que NVIDIA vaya a fabricar memoria NAND, ambas compañías están colaborando junto a Georgia Tech en un proyecto de investigación que busca acelerar el desarrollo de memoria NAND basada en materiales ferroeléctricos, utilizando modelos de IA y computación acelerada.
El aspecto central de esta colaboración es un avance científico presentado el pasado 6 de marzo en arXiv. Investigadores de Samsung, NVIDIA y Georgia Tech han desarrollado un modelo Physics-Informed Neural Operator (PINO) que puede acelerar drásticamente el análisis de dispositivos NAND verticales ferroeléctricos, superando las simulaciones TCAD tradicionales en más de 10.000 veces. Este avance no mejorará directamente la velocidad de las memorias, sino que reducirá significativamente el tiempo requerido para la investigación y desarrollo de nuevas tecnologías, permitiendo explorar más variantes en menor tiempo.
Este progreso en almacenamiento es vital en la era de la IA. A medida que las capas y la densidad de las NAND tradicionales alcanzan sus límites físicos, el consumo de energía aumenta y la escalabilidad se complica. La propuesta de utilizar materiales ferroeléctricos intenta abordar estos problemas mediante la mejora en la conservación de estados eléctricos.
Para NVIDIA, esta colaboración es estratégica. Con el aumento de la demanda de almacenamiento eficiente para sistemas de IA, participar en el desarrollo de herramientas que aceleren el diseño de nuevas generaciones de NAND fortalece su posición en la cadena de valor. Por su parte, Samsung, líder mundial en el suministro de memoria NAND flash, busca mantener su posición preeminente desarrollando nuevas arquitecturas antes que sus competidores.
Sin embargo, objetivos como el desarrollo de NAND con 1.000 capas aún son aspiraciones tecnológicas en lugar de productos consolidados. Aunque algunos medios sugieren que la memoria ferroeléctrica podría acercar esta meta, no hay confirmación oficial de que este hito haya sido alcanzado.
Lo más revelador de este contexto es la integración de la IA no solo en el uso de tecnología avanzada, sino en el propio diseño y desarrollo de componentes de infraestructura esenciales para el futuro tecnológico. Esta colaboración subraya la importancia de construir sistemas y memorias capaces de sostener el crecimiento exponencial de la IA con eficiencia energética y rapidez en su desarrollo. Aunque todavía no se ha concretado en un producto comercial, la alianza entre Samsung, NVIDIA y otras entidades académicas podría ser un precursor de innovaciones revolucionarias en el campo del almacenamiento de datos en un futuro próximo.
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