Samsung Electronics ha dado un nuevo paso en su liderazgo en tecnología de memoria avanzada con la presentación de sus últimas innovaciones en el evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026, llevado a cabo en Santa Clara, California. En dicha conferencia, la compañía no solo mostró su portafolio de memoria enfocado en inteligencia artificial (AI), sino que también delineó su hoja de ruta tecnológica, centrada en modelos conceptuales como el zHBM y zNAND-O, además de introducir su revolucionaria tecnología V10 BV-NAND, que cuenta con más de 400 capas.
Durante la ceremonia de apertura, Jin-Yub Lee y Kyungryun Kim, ejecutivos de Samsung, abordaron las estructuras 3D de próxima generación en soluciones de memoria, elucidando la manera en que estas innovaciones están impulsando la revolución AI. Su charla, titulada «Impulsando la ola de la revolución AI: Innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento», enfatizó la apuesta de Samsung por maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas AI, un reto creciente ante la demanda de computación de alto rendimiento y sofisticada infraestructura AI.
Uno de los avances destacados fue el zHBM, una arquitectura de memoria que permite apilar HBM verticalmente encima de los aceleradores AI. Esta configuración disminuye la distancia que deben recorrer los datos, logrando así una mejora significativa en el ancho de banda y la eficiencia energética. El zHBM promete ofrecer rendimientos ocho veces superiores al HBM5 y exceder en diez veces la densidad de memoria en comparación con su predecesor.
En adición, el zNAND-O surge como una solución de velocidad elevada, combinando eficiencia espacial con mejora en el rendimiento de entrada/salida y baja latencia, adaptándose perfectamente a las aplicaciones de AI que requieren procesamiento en tiempo real.
El avance en tecnología NAND tampoco se queda atrás. La V10 BV-NAND, presentada por Samsung, incrementa la densidad de memoria en un 58% respecto a la anterior generación y mejora el desempeño en velocidades de lectura y escritura. Este desarrollo es una muestra del persistente compromiso de Samsung con la innovación desde que presentó su tecnología V-NAND hace 13 años.
Samsung detalló también su hoja de ruta para el futuro de la memoria y el almacenamiento, destacando innovaciones como HBM4E y LPDDR5X-PIM, esta última permite realizar el procesamiento dentro de la misma memoria, optimizando la eficiencia en la transferencia de datos. Al posicionarse como el único fabricante integrado que ofrece soluciones completas para infraestructura AI, Samsung asegura a sus clientes la capacidad de introducir al mercado soluciones diferenciadas de semiconductores AI de manera rápida y eficaz.
