En el acelerado mundo de la Inteligencia Artificial, donde los avances tecnológicos a menudo se miden en capacidades de procesamiento y velocidad de centros de datos, Kioxia, en colaboración con su socio SanDisk, ha puesto el foco en un elemento crucial pero menos visible: la memoria y el almacenamiento. Esto podría cambiar el panorama de la competencia tecnológica con un movimiento estratégico clave que pretende adelantar la producción de su memoria NAND 3D más avanzada.
De acuerdo con un informe de Nikkei, Kioxia está programando para 2026 el inicio de la fabricación de su nueva generación BiCS10, con un apilado de 332 capas. Este avance se adelanta más de un año respecto a su cronograma original de lanzamiento a finales de 2027. Esta aceleración está planeada sobre una doble estrategia: la producción de BiCS10 se llevará a cabo en la nueva Fab 2 en Kitakami, mientras que BiCS9, de 218 capas, se mantendrá en el complejo de Yokkaichi para productos de gama más generalista.
Financieramente, adelantar esta producción es crucial. La demanda de almacenamiento de alta capacidad y densidad, impulsada por la creciente dependencia de la IA, está proyectada para intensificarse. En un mercado donde la rapidez para aumentar la densidad de bits por oblea puede convertirse en un determinante para capturar contratos significativos, Kioxia busca adelantarse para asegurar su posición en los segmentos más lucrativos del mercado. La industria ya siente las tensiones de un ciclo de memoria marcado por impulsos en IA y límites de capacidad industrial, como lo reflejan fabricantes y analistas.
Con su décima generación de memoria flash 3D, Kioxia no solo incrementa la cantidad de capas. La compañía ha comunicado avances significativos con una densidad de bits mejorada en un 59% y un aumento del 33% en la velocidad de interfaz en comparación con la octava generación. Estos avances permiten no solo un mejor rendimiento, sino también mayor eficiencia energética. Este desarrollo es acompañado por una arquitectura CBA que mejora el rendimiento separando la lógica periférica de la matriz de memoria.
La planta Fab 2 en Kitakami será fundamental para este adelanto. La instalación, cuya construcción ya ha sido completada, está lista para iniciar operaciones en otoño de 2025, dedicándose a la producción de nodos avanzados y productos de alta exigencia como BiCS10. Así, Kioxia busca satisfacer la demanda del mercado para más gigabytes por rack con equipamiento de última generación.
Sin embargo, el camino no está libre de desafíos. La ejecución precisa es vital, ya que un salto a 332 capas es técnicamente exigente y los retrasos podrían impactar la competitividad. Además, la elasticidad de la demanda es un factor crítico; el auge de la inversión en IA es fuerte, pero no ilimitado, y cualquier cambio en el gasto podría afectar las prioridades de los centros de datos a gran escala.
Finalmente, la competencia y la disciplina en la oferta son clave en el sector. Un aumento simultáneo en la capacidad por parte de varios jugadores podría afectar la rentabilidad en poco tiempo. Por lo tanto, la eficiencia energética se ha convertido en un argumento de venta esencial, donde métricas como «watts por TB» y densidad por rack son ahora fundamentales. Con la tecnología BiCS10, Kioxia apuesta no solo por una mayor capacidad, sino también por una propuesta de valor sostenible, incluso con precios superiores por chip.
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