GlobalFoundries (GF) ha alcanzado un acuerdo de licenciamiento tecnológico con TSMC para implementar tecnologías de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 80 V. La meta es acelerar la producción de dispositivos de potencia de nueva generación destinados a centros de datos, entornos industriales y automoción. La producción se llevará a cabo en su planta de Burlington, Vermont, lo que asegurará capacidad de GaN en Estados Unidos para una clientela global.
El silicio CMOS convencional ha comenzado a alcanzar sus límites en aplicaciones de potencia, por lo que el GaN se presenta como una alternativa eficaz para mejorar la eficiencia y densidad de potencia. Los dispositivos GaN reducen las pérdidas de conmutación y permiten arquitecturas más compactas, lo cual es crucial en centros de datos y vehículos eléctricos. Este acuerdo permitirá a GF reducir los tiempos de desarrollo y lanzar al mercado dispositivos listos para aplicaciones críticas.
El acuerdo abarcará procesos GaN de 650 V para aplicaciones de alta tensión y 80 V para baja y media tensión, con un enfoque en vehículos eléctricos, energías renovables, cargadores rápidos y PSU de alto rendimiento para tecnología de información. La calificación e industrialización se realizarán en la fábrica de Burlington, Vermont, con un desarrollo programado para inicios de 2026 y producción a finales de ese año.
Según Téa Williams, vicepresidenta sénior de GF, esta tecnología permitirá acelerar el desarrollo de chips GaN y ofrecer soluciones diferenciadas para un amplio rango de aplicaciones críticas.
Este movimiento se enmarca dentro de una tendencia del sector hacia la firma de acuerdos de licencia que combinan la propiedad intelectual con la fabricación local. Para GF, esto significa un time-to-market más corto y un suministro más cercano para aplicaciones que valoran la cadena de suministro regional. Para TSMC, el acuerdo supone monetizar su IP GaN y ampliar su alcance a través de terceros en un mercado en crecimiento.
Aunque no se han divulgados detalles precisos sobre el rendimiento de los productos, se espera que los transistores GaN de 650 V se utilicen en etapas PFC y convertidores aislados en PSU de centros de datos, mientras que los dispositivos de 80 V serán empleados en aplicaciones como placas servidor y conducción de motores.
En el contexto de los centros de datos y la creciente ola de inteligencia artificial, el uso de GaN promete menos pérdidas y fuentes más densas, lo que posibilitará racks más potentes en el mismo espacio, mejorando así la eficiencia energética.
La automoción y el sector de renovables también se benefician del GaN. En vehículos eléctricos, el GaN contribuye a mejorar la eficiencia y aligerar el peso, mientras que en aplicaciones industriales, la tecnología GaN permite convertidores más compactos y económicos.
La transferencia de proceso conlleva ciertos riesgos, pero gracias a la experiencia de GF en GaN, se espera que los primeros productos comerciales estén disponibles para finales de 2026. Este acuerdo estratégico refuerza la importancia del GaN «made in USA» y su impacto en múltiples sectores industriales.
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