En el mundo de la informática, la distinción entre memoria volátil rápida como la RAM, y el almacenamiento no volátil más lento como el flash o los discos SSD, ha sido un pilar fundamental durante décadas. Sin embargo, un avance revolucionario proveniente del Reino Unido podría trastocar esta estructura tradicional. UltraRAM, una innovadora tecnología desarrollada por investigadores de las universidades de Lancaster y Warwick, busca integrar lo mejor de ambos mundos en un único dispositivo.
El concepto detrás de UltraRAM es realmente prometedor: combinar la persistencia de datos de la memoria flash con la velocidad y eficiencia de la DRAM. En otras palabras, un chip que no olvida la información al apagarse y que opera con la rapidez de la RAM. Los prototipos realizados sobre silicio han demostrado una vida útil habilitada para durar hasta mil años y una resistencia mil veces mayor a la de la memoria flash actual, lo que podría superar los retos de desgaste presentes en los SSD modernos.
El funcionamiento de UltraRAM se basa en la estructura Triple Barrier Resonant Tunneling (TBRT), compuesta por capas de arseniuro de indio y antimonuro de aluminio para regular el flujo de electrones. Esta estructura permite un proceso de lectura no destructivo y utiliza túneles cuánticos controlados para mover electrones eficientemente sin una degradación significativa, incluso durante siglos.
A pesar de sus promesas, UltraRAM aún se encuentra en la fase de investigación y prototipado. El desarrollo a escala nanométrica es un próximo paso crucial para competir en densidad y coste con las memorias convencionales. Con este objetivo, se ha formado la empresa Quinas para afinar el proceso de fabricación y expandirlo comercialmente, enfrentando el desafío de integrarlo dentro de los procesos de producción masiva.
El avance de UltraRAM tiene el potencial de revolucionar múltiples sectores, desde la informática personal hasta los centros de datos, el Internet de las Cosas y la robótica. Si alcanza una producción a gran escala, podría simplificar la arquitectura de ordenadores y móviles, optimizar el consumo energético en centros de datos y mejorar la eficiencia y longevidad de los dispositivos IoT.
Aún es incierto cuándo veremos UltraRAM en dispositivos comerciales. Podría tardar entre cinco y diez años, ya que debe demostrar que puede fabricarse a gran escala con costes competitivos frente a la DRAM y la flash, que llevan décadas de perfeccionamiento y cuentan con un fuerte respaldo industrial.
El futuro de la memoria podría estar a punto de cambiar, y mientras tanto, el mundo espera expectante los próximos pasos de este prometedor avance tecnológico marcado por la innovación británica.
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