Durante el reciente Open Innovation Platform Ecosystem Forum, la gigante de semiconductores TSMC lanzó un claro mensaje a la industria de tecnología: su compromiso con la computación de alto rendimiento e inteligencia artificial se basa en tres sólidos pilares avanzados de desarrollo —silicio, apilamiento y empaquetado. Aprovechando el evento, la compañía no solo presentó estas estrategias como palabras de marketing, sino que respaldó su postura con una agresiva hoja de ruta que promete nodos de 2 nanómetros y más allá, e innovaciones en celdas estándar NanoFlex.

Uno de los ejemplos que TSMC mostró fue el de VSORA, una compañía francesa. Apoyándose en el ecosistema de TSMC, VSORA ha desarrollado el Jotunn 8, un avanzado acelerador de IA basado en RISC-V. Este chip, que incorpora 288 GB de memoria HBM3E y un ancho de banda de memoria de 8 TB/s, ha sido fabricado en el nodo N5 de TSMC y ensamblado mediante empaquetado CoWoS-S. El desarrollo, que duró 18 meses, demuestra la madurez del ecosistema de diseño EDA, IP y packaging de TSMC para productos de nueva generación.

En el ámbito de materiales, TSMC está en plena transición de la familia N3 FinFET a los nodos de 2 nm, donde la arquitectura de transistores nanosheet se convierte en protagonista. El plan de TSMC para estos nodos incluye distintas etapas: N2, en producción masiva; N2P, optimización prevista para 2026; y A16, con nuevo nodo y tecnología Super Power Rail (SPR) que se espera para finales de 2026, seguido del A14. Las mejoras prometidas incluyen incrementos significativos en rendimiento y eficiencia energética.

La introducción de las celdas estándar NanoFlex con la familia N2 es otro avance estratégico, permitiendo a los arquitectos de chips ajustar diferentes tipos de celdas para obtener un máximo rendimiento sin comprometer el diseño. Esto puede traducirse en chips hasta un 15% más rápidos o un 30% más eficientes a través de la selección apropiada de bibliotecas dentro del mismo nodo.

TSMC también apuesta por la tecnología de alimentación trasera, desplazando su integración al nodo A16, el cual combinará nanosheets y alimentación trasera para mejorar eficiencia y rendimiento. Estas estructuras liberan área en la parte frontal del chip y permiten desarrollar arquitecturas más densas y modulares.

En el área de empaquetado, TSMC refuerza su posición de liderazgo con su tecnología de 3DFabric, que abarca opciones como CoWoS, SoIC, y soluciones adaptadas para altos anchos de banda de memoria y energías. Estas tecnologías permiten a TSMC ofrecer un completo viaje desde el diseño hasta el módulo final, optimizando las capacidades de los chips en IA y HPC.

Finalmente, la inteligencia artificial también desempeña un papel crucial dentro de las propias fábricas de TSMC, desde el diseño hasta las pruebas, perfeccionando procesos para mantener altos estándares de calidad y eficiencia. Con todo esto, TSMC reafirma su posición de dominio en la industria de semiconductores, presentándose como un actor ineludible en el futuro de los chips de alto rendimiento y la inteligencia artificial. Intel y Samsung Foundry podrían intentar alcanzar a TSMC, pero la ventaja avanzadora de TSMC en el silicio, el apilado y el empaquetado parece destinada a marcar el rumbo de la industria por años venideros.

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