STMicroelectronics, el gigante en semiconductores, ha dado un paso decisivo hacia el futuro de las interconexiones ópticas al anunciar su nueva generación de tecnologías de silicio fotónico y BiCMOS. Este avance promete revolucionar la conectividad en centros de datos y clústeres de Inteligencia Artificial (IA) al alcanzar velocidades de interconexión de 800Gb/s y 1.6Tb/s, aumentando no solo el rendimiento sino también la eficiencia energética.
Ante el imparable crecimiento de la computación basada en IA, los desafíos técnicos relacionados con rendimiento y consumo energético se han multiplicado. Con esto en mente, STMicroelectronics ha comenzado a desarrollar una hoja de ruta junto a sus socios estratégicos para diseñar ópticas enchufables que no solo sean más rápidas, sino también más eficientes energéticamente. Estas innovaciones están programadas para comenzar a implementarse en la segunda mitad de 2025.
Los centros de datos de hiperescala, que dependen de una vasta cantidad de transceptores ópticos para la comunicación interna entre GPUs, switches y almacenamiento, se beneficiarán enormemente de estas nuevas tecnologías. Las soluciones de silicio fotónico y BiCMOS permitirán integrar múltiples componentes complejos en un único chip, asegurando una conectividad de ultra alta velocidad con un consumo energético reducido. Además, la producción en procesos de 300 mm en Europa no solo garantiza una cadena de suministro independiente, sino también de gran volumen.
La colaboración con Amazon Web Services (AWS) representa un pilar importante en esta evolución, según ha declarado Remi El-Ouazzane, presidente del grupo de Microcontroladores, Circuitos Digitales y RF de STMicroelectronics. El entusiasmo compartido por Nafea Bshara, vicepresidente de AWS, subraya la importancia de esta alianza estratégica para desarrollar tecnologías de interconexión que favorezcan la IA.
El mercado de ópticas enchufables se encuentra en pleno auge. Se estima que su valor alcanzará los 7.000 millones de dólares en 2024, con un crecimiento esperado del 23% anual hasta 2030, llegando a los 24.000 millones de dólares. Los transceptores basados en moduladores de silicio fotónico ampliarán significativamente su participación de mercado durante esta década.
La decisión de STMicroelectronics de fabricar sus tecnologías SiPho y BiCMOS en Crolles, Francia, es una clara apuesta por la autonomía tecnológica europea, reforzando un suministro local para la industria de centros de datos e IA. Este primer paso en la oferta de productos PIC de ST, apoyado en sólidas alianzas, sitúa a la compañía en una posición privilegiada para liderar el desarrollo de soluciones de interconexión óptica, fundamentales para el futuro de la computación en la nube y la IA.
