En un avance significativo para la industria de semiconductores, SK hynix ha anunciado la implementación del primer sistema de litografía EUV de alta apertura numérica (High NA EUV) en su planta M16 de Corea del Sur. Este nuevo equipo, el TWINSCAN EXE:5200B de ASML, promete revolucionar la producción de memorias DRAM al permitir la creación de patrones más finos y facilitar una mayor densidad de transistores, un paso crucial para las aplicaciones de inteligencia artificial de próxima generación.
La tecnología EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) utiliza longitudes de onda ultracortas para grabar complejos patrones en obleas de silicio. La característica diferenciadora del sistema introducido por SK hynix es su apertura numérica de 0,55, una mejora del 40% en precisión óptica en comparación con los modelos actuales de 0,33. Este avance permite fabricar transistores 1,7 veces más pequeños y aumentar la densidad en un 2,9%, traduciéndose en mejoras significativas en eficiencia energética y rendimiento.
SK hynix, el segundo mayor fabricante de memorias a nivel mundial, busca así reforzar su liderazgo en el competitivo mercado de memorias para inteligencia artificial y computación avanzada. Cha Seon Yong, responsable de I+D de la compañía, expresó su optimismo ante esta innovación, destacando que la nueva infraestructura convertirá en realidad la visión tecnológica de la empresa, mejorando su competitividad en costos y rendimiento.
Este hito tecnológico ha sido posible gracias a la colaboración estratégica con ASML, la única empresa capaz de fabricar sistemas EUV. Kim Byeong-Chan, representante de ASML, destacó la importancia del High NA EUV como un avance crucial que abrirá un nuevo capítulo en la industria de los semiconductores. La ceremonia de instalación del equipo en la planta M16 contó con la participación de altos ejecutivos de ambas compañías, subrayando la relevancia de este logro.
Desde 2021, SK hynix ha intensificado el uso de la tecnología EUV, comenzando con la cuarta generación de 10 nm. La introducción del High NA EUV responde a la necesidad de aumentar aún más las densidades, en sintonía con los planes de otros competidores como Samsung y TSMC, que también avanzan hacia procesos de 2 nm para 2027. La apuesta de SK hynix refuerza su papel estratégico en la cadena de suministro global de semiconductores, ofreciendo productos con un alto valor añadido.
La introducción del High NA EUV se espera que impacte notablemente el mercado, incrementando la productividad al permitir más chips DRAM por oblea y reduciendo costos. Además, proporcionará productos de alto rendimiento esenciales para aplicaciones de inteligencia artificial, big data y servicios en la nube, fortaleciendo su posición competitiva en un entorno de márgenes reducidos y tensiones geopolíticas.
Con este avance, SK hynix no solo lidera la carrera tecnológica, sino que establece las bases para una nueva era en la memoria DRAM, adaptada a las exigencias de un mundo cada vez más dominado por la inteligencia artificial y la computación avanzada.
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