Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy el inicio de la producción en masa del primer NAND de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb) de novena generación vertical (V-NAND) de la industria. Este avance extiende la producción en masa del NAND triple de novena generación (TLC) iniciada en abril, consolidando así su posición de liderazgo en el mercado de flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento.
«El inicio exitoso de la producción en masa del QLC de novena generación apenas cuatro meses después de la versión TLC nos permite ofrecer una gama completa de soluciones SSD avanzadas para la era de la IA», declaró SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Producto Flash y Tecnología en Samsung Electronics. «A medida que el mercado de SSD empresariales crece rápidamente con una mayor demanda de aplicaciones de IA, continuaremos fortaleciendo nuestro liderazgo en el segmento mediante nuestras tecnologías QLC y TLC de novena generación».
Samsung planea expandir las aplicaciones de su NAND QLC de novena generación, comenzando con productos de consumo y ampliándose a dispositivos de almacenamiento flash universal móvil (UFS), PCs y SSDs para servidores, incluyendo proveedores de servicios en la nube. Este desarrollo conlleva numerosas innovaciones tecnológicas significativas.
Uno de los avances clave es la tecnología inigualable de Channel Hole Etching, que ha permitido a la compañía lograr el mayor número de capas en la industria con una estructura de doble pila. Esta optimización del área de las celdas y los circuitos periféricos ha permitido alcanzar una densidad de bits aproximadamente un 86% mayor que la de la generación anterior de QLC V-NAND.
Asimismo, la tecnología Designed Mold ajusta el espaciamiento de las líneas de palabra (WL) para garantizar la uniformidad y optimización de las características de las celdas en todas las capas. Esta innovación ha mejorado la retención de datos en aproximadamente un 20% respecto a versiones anteriores, aumentando así la fiabilidad del producto.
Otra tecnología destacada es la Predictive Program, que anticipa y controla los cambios en el estado de las celdas para minimizar las operaciones innecesarias. Esto ha permitido doblar el rendimiento de escritura y mejorar la velocidad de entrada y salida de datos en un 60%.
Finalmente, Samsung ha implementado un diseño de bajo consumo, reduciendo el consumo de energía en un 30% durante la lectura de datos y en un 50% durante la escritura. Esta técnica disminuye la tensión que impulsa las celdas NAND y minimiza el consumo de energía al seleccionar solo las líneas de bits necesarias.
Con estos avances, Samsung sigue demostrando su capacidad para innovar y liderar en el ámbito de la memoria flash, proporcionando soluciones de almacenamiento más eficientes y de mayor rendimiento adaptadas a las necesidades emergentes en la era de la inteligencia artificial.
