Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado el inicio de la producción en masa de su V-NAND de novena generación con tecnología de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb). Este hito marca un antes y un después en la industria de los dispositivos de almacenamiento, prometiendo transformar el panorama de los SSD y otros dispositivos tecnológicos en la era de la inteligencia artificial.
La nueva V-NAND V9 QLC de Samsung representa un avance significativo en la tecnología de almacenamiento, destacando especialmente en tres áreas clave: densidad, rendimiento y eficiencia energética. En términos de densidad, Samsung ha logrado la mayor densidad de bits de la industria, con una mejora aproximada del 86% en comparación con la generación anterior de V-NAND QLC. Respecto al rendimiento, la velocidad de escritura se ha duplicado, y la velocidad de entrada/salida de datos ha mejorado en un 60%. En cuanto a la eficiencia energética, el consumo de energía en lectura y escritura ha disminuido aproximadamente un 30% y un 50%, respectivamente.
Para alcanzar estos avances, Samsung ha implementado cuatro tecnologías innovadoras. La primera es el ‘Channel Hole Etching’, que permite alcanzar el mayor número de capas de la industria con una estructura de doble pila. La segunda es el ‘Designed Mold’, que mejora el rendimiento de retención de datos en aproximadamente un 20% en comparación con versiones anteriores. La tercera tecnología, ‘Predictive Program’, anticipa y controla los cambios de estado de las celdas para minimizar acciones innecesarias. La cuarta, ‘Low-Power Design’, reduce el voltaje que impulsa las celdas NAND y minimiza el consumo de energía.
SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Productos y Tecnología Flash en Samsung Electronics, destacó: «El inicio exitoso de la producción en masa de V-NAND V9 QLC solo cuatro meses después de la versión TLC nos permite ofrecer una línea completa de soluciones SSD avanzadas que abordan las necesidades de la era de la IA».
Samsung planea expandir las aplicaciones de la V-NAND V9 QLC, comenzando con productos de consumo de marca y extendiéndose a almacenamiento flash universal (UFS) móvil, PC y SSD para servidores, incluyendo proveedores de servicios en la nube. Con el mercado de SSD empresariales mostrando un rápido crecimiento impulsado por la demanda de aplicaciones de inteligencia artificial, Samsung se posiciona para consolidar su liderazgo en el segmento a través de sus V-NAND V9 QLC y TLC.
Esta nueva generación de tecnología de almacenamiento promete no solo aumentar significativamente la capacidad, sino también mejorar la velocidad y eficiencia de los dispositivos, marcando un hito importante en la evolución del almacenamiento digital en la era de la inteligencia artificial.
