Samsung Revoluciona la Industria con la LPDDR5X DRAM Más Rápida, Alcanzando 10.7Gbps y Optimizada para IA

Samsung Electronics ha reafirmado su liderazgo en la tecnología de memoria avanzada, anunciando el desarrollo del primer LPDDR5X DRAM de la industria con un rendimiento que alcanza los 10.7 gigabits por segundo (Gbps). Este progreso representa un hito considerable en el sector, ofreciendo un desempeño un 25% superior, una capacidad un 30% mayor y una eficiencia energética aumentada en un 25% en comparación con la generación anterior.

Utilizando una tecnología de proceso de 12 nanómetros (nm), la nueva memoria LPDDR5X de Samsung se presenta como el chip más pequeño entre los LPDDRs existentes, consolidando aún más el dominio de la compañía en el mercado de DRAM de bajo consumo.

YongCheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics, destacó la creciente demanda de memorias de alto rendimiento y bajo consumo. «Esperamos que la LPDDR DRAM expanda sus aplicaciones más allá del ámbito móvil hacia áreas que requieren mayor rendimiento y fiabilidad, como PCs, aceleradores, servidores y automóviles», afirmó Bae. Además, subrayó el compromiso continuo de Samsung en innovar y proporcionar productos optimizados para la era de la inteligencia artificial en dispositivos, colaborando estrechamente con sus clientes.

La irrupción de la inteligencia artificial en dispositivos, que permite el procesamiento local en los mismos, ha incrementado la necesidad de memorias LPDDR de alto rendimiento y bajo consumo. El nuevo LPDDR5X de Samsung no solo mejora el rendimiento y la capacidad, sino que también eleva la capacidad de un solo paquete de DRAM móvil hasta 32 gigabytes (GB), consolidándose como una solución ideal para la era de la IA en dispositivos.

En este contexto, es especialmente relevante la incorporación de tecnologías de ahorro de energía especializadas, como la variación de potencia optimizada y los intervalos de modo de baja potencia. Estas innovaciones ajustan la energía según la carga de trabajo y extienden los periodos de ahorro energético, logrando una mejora del 25% en eficiencia energética respecto a la generación anterior. Esto no solo permite a los dispositivos móviles prolongar la vida útil de la batería, sino que también ayuda a los servidores a minimizar el costo total de propiedad (TCO) al reducir el consumo energético durante el procesamiento de datos.

Se prevé que la producción en masa del LPDDR5X de 10.7 Gbps comience en la segunda mitad del año, tras la verificación con procesadores de aplicaciones móviles y proveedores de dispositivos móviles. La industria espera con ansias la disponibilidad de esta avanzada tecnología que promete transformar la eficiencia y capacidad de la memoria DRAM en un amplio espectro de aplicaciones.

Mariana G.
Mariana G.
Mariana G. es una periodista europea y editora de noticias de actualidad en Madrid, España, y el mundo. Con más de 15 años de experiencia en el campo, se especializa en cubrir eventos de relevancia local e internacional, ofreciendo análisis profundos y reportajes detallados. Su trabajo diario incluye la supervisión de la redacción, la selección de temas de interés, y la edición de artículos para asegurar la máxima calidad informativa. Mariana es conocida por su enfoque riguroso y su capacidad para comunicar noticias complejas de manera clara y accesible para una audiencia diversa.

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