Samsung Electronics ha decidido resucitar su tecnología de memoria Z-NAND, que había dejado de lado hace siete años, para enfrentar la creciente demanda en el rendimiento de cargas de trabajo vinculadas a la inteligencia artificial (IA). Productos de alta velocidad como este se perfilan como alternativas prometedoras frente a la NAND tradicional, prometiendo mejorar hasta 15 veces la velocidad de acceso y procesamiento en aplicaciones críticas.
El regreso de Z-NAND ocurre en un momento clave, con el mercado de memoria sometido a la presión creciente de la IA generativa, centros de datos de alto rendimiento y las aplicaciones de edge computing. Según expertos de la industria, esta tecnología está destinada a ubicarse como una solución intermedia entre la memoria DRAM —veloz pero volátil— y la NAND flash convencional —más económica pero con mayores latencias—. Así, propicia un equilibrio entre costo y rendimiento para situaciones que demandan tiempos de respuesta extraordinariamente bajos.
Z-NAND debutó en 2016 como una respuesta a la entonces emergente memoria 3D XPoint de Intel y Micron. Sin embargo, ante una adopción inicial limitada y el avance de la NAND TLC y QLC, Samsung decidió no continuar su comercialización a gran escala. Ahora, con la creciente presencia de la IA y la necesidad de procesar grandes volúmenes de datos en tiempo real, la empresa surcoreana ha optimizado su arquitectura para cargas como el entrenamiento e inferencia de modelos de IA, análisis financiero, procesamiento médico e incluso simulaciones científicas.
El resurgimiento de Z-NAND también se alinea con la competencia creciente en el sector de memoria de alto rendimiento. Empresas como Kioxia, Micron y SK hynix están desarrollando tecnologías como XL-FLASH y HBM (High Bandwidth Memory) para satisfacer las demandas de los aceleradores de IA. Samsung aspira a diferenciarse con un producto que se espera sea más económico que la HBM y supere en rapidez a la NAND convencional, añadiendo además ventajas en durabilidad y eficiencia energética.
Las aplicaciones clave de la nueva generación de Z-NAND abarcan desde centros de datos para IA generativa, que requieren entrenamiento de modelos con mínima latencia, hasta edge computing industrial para análisis de datos en entornos críticos. Además, promete innovaciones en sistemas financieros y de trading algorítmico con ejecución en tiempo real, y procesamiento científico y médico con simulaciones avanzadas y análisis de imágenes de alta resolución.
Analistas del sector proyectan que, si Samsung logra escalar la producción de Z-NAND de manera competitiva, podría capturar una porción significativa del mercado de memoria para IA, valorado en miles de millones de dólares para finales de la década.
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