Samsung Electronics ha dado un importante paso hacia el futuro con la inauguración de su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores, conocido como NRD-K, en el campus de Giheung. La ceremonia, que contó con alrededor de 100 asistentes entre proveedores y clientes, marca un hito significativo en la trayectoria de la compañía hacia la innovación en tecnología de semiconductores.
El NRD-K, cuya construcción se inició en 2022, se perfila como una base esencial para la investigación en las áreas de memoria, LSI de sistema y fundición de semiconductores. Samsung planea invertir cerca de 20 billones de wones surcoreanos hasta 2030 en este proyecto, que cubrirá una superficie de aproximadamente 109,000 metros cuadrados. Una línea de I+D dentro del complejo empezará a operar a mediados de 2025, potenciando las capacidades de investigación y verificación de productos bajo un mismo techo.
Young Hyun Jun, Vicepresidente y Director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung, destacó en su discurso que el NRD-K fortalecerá la velocidad de desarrollo de la compañía. «Este complejo permitirá a Samsung crear un ciclo virtuoso para acelerar la investigación fundamental en tecnología de próxima generación y la producción en masa. Giheung, como el lugar donde comenzó la historia de Samsung en semiconductores hace 50 años, se convierte nuevamente en un pilar para el desarrollo y la innovación, mirando hacia los próximos 100 años», expresó Jun.
En el contexto de un escenario donde las colaboraciones son cada vez más cruciales, Park Gwang-Sun, líder de Applied Materials Korea, reiteró el compromiso de su empresa de acelerar la innovación mediante una cooperación estrecha con Samsung Electronics. Esta colaboración busca impulsar un crecimiento sostenible para la industria de semiconductores.
El campus de Giheung es reconocido por su legado de innovación, siendo el lugar de nacimiento del primer DRAM de 64 megabits del mundo en 1992, un logro que consolidó el dominio de Samsung en el sector. El nuevo complejo continuará este legado, incorporando las últimas innovaciones en tecnología de procesos y herramientas de fabricación, como la litografía extrema ultravioleta (EUV) y equipos para la deposición de nuevos materiales. Esto facilitará el desarrollo de semiconductores de próxima generación, incluyendo DRAM 3D y V-NAND con más de 1,000 capas.
Samsung no ha escatimado en recursos para mantenerse a la vanguardia, registrando una inversión récord de 8.87 billones de wones en I+D durante el tercer trimestre de este año. La compañía busca consolidar su competitividad en tecnologías futuras, incluyendo el empaquetado avanzado para la producción de memorias de alta capacidad. Este enfoque resalta el compromiso de Samsung con la innovación continua y el liderazgo en el dinámico mundo de los semiconductores.
