Samsung Electronics ha intensificado sus esfuerzos en el mercado de las memorias de alto rendimiento (HBM) con un rediseño significativo de su producto HBM3E 12H de 36 GB. La compañía espera obtener la validación de NVIDIA en un plazo más corto, objetivo que apunta a cumplirse en mayo de este año, según informes de medios surcoreanos como EBN.
El innovador modelo HBM3E 12H destaca por ser la memoria HBM de mayor capacidad actualmente disponible, contando con una estructura de 12 capas que ofrece 36 GB y un impresionante ancho de banda de hasta 1,280 GB/s. Este incremento representa un avance superior al 50% en comparación con la HBM3 8H de ocho capas, constituyendo una mejora crucial para las aplicaciones de inteligencia artificial de última generación que exigen velocidad, capacidad y eficiencia energética avanzadas.
Un elemento central de esta actualización es la aplicación de tecnología TC NCF (película no conductora de compresión térmica). Esta técnica mantiene constante la altura física de las memorias pese al incremento en el número de capas, mejorando la disipación térmica y optimizando el rendimiento sin comprometer la estructura.
Samsung enfrenta el reto de asegurar que esta nueva memoria cumpla con los rigurosos estándares de NVIDIA, un paso esencial para asegurar su producción en masa prevista para el primer semestre de 2025. Si logra la validación, la compañía se posicionaría favorablemente para competir con otras soluciones de SK hynix y Micron. NVIDIA, conocida por incorporar memorias HBM en sus GPUs para centros de datos, busca constantemente mejoras en capacidad y ancho de banda para potenciar el rendimiento en los procesos de IA y entornos HPC.
La implementación de memorias como la HBM3E 12H promete aumentar en un 34% la velocidad del entrenamiento en inteligencia artificial, además de permitir que el número de usuarios concurrentes de servicios de inferencia se multiplique por 11.5, en comparación con los sistemas equipados con HBM3 8H. Este avance no solo reduce el coste total de propiedad (TCO) al disminuir la cantidad de chips necesarios, sino que también favorece la eficiencia energética y posibilita arquitecturas más compactas.
Mientras persigue la validación de NVIDIA, Samsung también está avanzando en su próxima generación de memorias, la HBM4, utilizando su nuevo proceso de fabricación 1c. Aunque inicialmente prevista para finales de 2024, esta memoria verá la luz en junio de 2025 debido a retrasos en su desarrollo.
Para Samsung, el segundo trimestre de este año será crucial, ya que busca recuperar su liderazgo en un mercado caracterizado por la creciente demanda de soluciones para inteligencia artificial generativa y computación en la nube. Estos pasos estratégicos colocan a la compañía en una posición clave dentro de la evolución de las tecnologías de memoria de alto rendimiento.
