En el competitivo mundo de la tecnología de memoria, Samsung Electronics ha dado un paso contundente al anunciar durante el OCP Global Summit 2025 su intención de alcanzar una velocidad de transferencia de 3,25 TB/s con su nueva HBM4E, con la producción en masa planeada para 2027. Este avance representa una mejora notable respecto a la actual HBM3E y busca posicionar nuevamente a Samsung en la cima del sector.
El anuncio de Samsung marca un hito en la evolución de la memoria de alto ancho de banda, fundamental para alimentar las GPU de inteligencia artificial y otros aceleradores. El objetivo es alcanzar al menos 13 Gbps por pin mediante el uso de 2.048 pines de E/S, superando en 2,5 veces el rendimiento de HBM3E. Esto no solo es un avance técnico sino también una respuesta estratégica para recuperar el liderazgo que actualmente ostenta SK hynix, quien se había adelantado con la producción de HBM3E y tenía vistas para el volumen de HBM4.
La escalada en la velocidad y eficiencia de la HBM4E es crucial en un contexto donde la demanda de IA generativa y el entrenamiento de modelos de lenguaje grande (LLM) presionan al máximo las capacidades de ancho de banda de memoria. Aumentar los terabytes por segundo se traduce en menos tiempo de espera y menores latencias, lo que mejora significativamente el rendimiento de los centros de datos y reduce el coste total de propiedad (TCO).
Mientras Samsung proyecta la producción en masa de HBM4E para 2027, el gigante tecnológico surcoreano también ha revelado detalles sobre su LPDDR6, que promete un 20% más de eficiencia respecto a su predecesor LPDDR5X. Asimismo, destacó su nodo de fabricación a 2 nm, que estará listo para finales de 2025, en una colaboración estratégica con la startup Rebellions para desarrollar chips de inteligencia artificial más avanzados.
El anuncio de Samsung no solo plantea la posibilidad de un cambio de liderazgo en el mercado de HBM sino que también envía un mensaje claro a SK hynix y Micron, sus principales competidores. La capacidad de entrega a volumen y la constancia en calidad serán factores críticos hasta el 2027, cuando el mercado evaluará el éxito de estos desarrollos.
En el interín, la comunidad tecnológica y los clientes clave, incluidas empresas como NVIDIA y AMD, observarán con atención cómo evoluciona la competencia por liderar el próximo gran salto en memoria de alto ancho de banda. La carrera no es solo por la innovación técnica, sino también por asegurar contratos y preparar el ecosistema para la integración efectiva de estas nuevas tecnologías. Con la producción de HBM4E, LPDDR6 y nodos de fabricación avanzados, Samsung busca afirmar su liderazgo en un mercado cada vez más enfocado en la inteligencia artificial.
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