Samsung Electronics ha alcanzado un hito significativo en el desarrollo de su memoria de alto ancho de banda HBM4E, marcando un punto medio en su proceso de diseño al entrar en la fase de desarrollo backend. Esta etapa crucial implica la transición del diseño lógico a una implementación física real, acercando a la empresa surcoreana al momento de enviar el diseño a la fundición, conocido como tape-out.

El desarrollo de HBM4E, una memoria de séptima generación, se centra especialmente en el base die, el componente lógico esencial que coordina las operaciones de la DRAM apilada, gestionando las lecturas, escrituras y la corrección de errores. Este elemento ha cobrado una gran importancia en la actualidad, ya que los clientes no solo buscan capacidad y ancho de banda, sino también funciones lógicas personalizadas que se integren perfectamente con sus plataformas de GPU y aceleradores.

La industria está presenciando un cambio significativo en las demandas de los grandes compradores, quienes solicitan HBMs personalizadas con funciones lógicas adicionales integradas en el base die. Este cambio ha convertido a la memoria en un componente co-diseñado específicamente para cada cliente, dejando atrás su rol como un elemento genérico.

En cuanto a la hoja de ruta de Samsung y el nuevo enfoque hacia memorias personalizadas, la empresa ha solicitado a sus socios que preparen sus cadenas de suministro en conformidad con las nuevas fechas objetivo, que buscan adelantar calendarios previos. Este ajuste estratégico refleja la presión por mantenerse competitivo en un mercado en rápido desarrollo.

Se espera que la producción en volumen de la generación HBM4 comience este año, mientras que la llegada de HBM4E está proyectada para 2027 y HBM5 para 2029. No obstante, estos planes están sujetos a los procesos de calificación con clientes y la disponibilidad de la industria.

Además, Samsung planea operar con dos equipos diferenciados para abordar las versiones estándar y personalizadas de HBM a partir de HBM4, aumentando el personal para estas últimas gracias a la alta demanda de gigantes tecnológicos como Google, Meta y NVIDIA.

En términos de organización interna y desarrollo técnico, la fase backend, que abarca el 60-70% del esfuerzo de diseño, se concentra en la implementación física y las verificaciones, lo que remarca su importancia en el ciclo de desarrollo. Samsung espera completar el diseño del base die de HBM4E para mayo o junio.

Por último, Samsung, junto a otras grandes empresas como SK hynix y Micron, participan en el desarrollo de estándares de HBM5 bajo JEDEC mientras avanzan simultáneamente en sus propios productos, reflejando la complejidad y el dinamismo del mercado actual, donde el co-diseño con fundiciones y la personalización de la lógica del base die se vuelven cada vez más críticos para el rendimiento y la integración en plataformas de IA.

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