Samsung Electronics, el gigante surcoreano y líder en tecnología de memoria avanzada, ha iniciado la producción en masa de su innovadora unidad de un terabit (Tb) de célula de triple nivel (TLC) de 9ª generación de V-NAND. Esta tecnología, que consolida la posición de Samsung en el mercado de NAND flash, se destaca por su densidad de bits sin precedentes y su avance en productividad gracias a una estructura de apilamiento doble y la tecnología avanzada de «grabado de agujeros de canal».
SungHoi Hur, jefe de Producto y Tecnología de Flash del Negocio de Memoria en Samsung Electronics, expresó su satisfacción con este hito: “Nos complace anunciar la primera V-NAND de 9ª generación de la industria, la cual impulsará significativamente las aplicaciones futuras. Para abordar las necesidades en constante evolución de las soluciones de NAND flash, Samsung ha llevado más allá los límites en la arquitectura de celdas y el esquema operativo de nuestro próximo producto”. Hur subrayó que con esta nueva V-NAND, Samsung continuará siendo un referente en el mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto rendimiento y alta densidad, respondiendo a las demandas emergentes de la inteligencia artificial de próxima generación.
Una de las mejoras más notables en esta nueva generación de V-NAND es un incremento en la densidad de bits de aproximadamente el 50% en comparación con su predecesora de 8ª generación. Este avance se ha logrado mediante la reducción del tamaño de la celda y la utilización de moldes más delgados. Además, se han implementado innovaciones clave para evitar interferencias de celda y extender la vida útil de las mismas, optimizando así la calidad y fiabilidad del producto. La eliminación de agujeros de canal falsos también ha permitido una reducción significativa en el área planar de las celdas de memoria.
La tecnología de «grabado de agujeros de canal» de Samsung ejemplifica la capacidad superior de la empresa en procesos de fabricación. Esta técnica, crucial ante el incremento del número de capas de celda, facilita la creación de caminos electrónicos mediante el apilamiento de capas de molde, maximizando así la productividad manufacturera.
Otra característica destacada de la V-NAND de 9ª generación es su interfaz NAND flash de próxima generación, «Toggle 5.1», que soporta velocidades de entrada y salida de datos aumentadas en un 33%, alcanzando hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Samsung también planea fortalecer su presencia en el mercado de SSD de alto rendimiento mediante la expansión del soporte para PCIe 5.0.
La eficiencia energética ha sido mejorada en un 10% respecto a la generación anterior, gracias a los avances en diseño de bajo consumo. Esta mejora es crítica en un contexto donde la reducción del uso de energía y las emisiones de carbono se vuelven cada vez más importantes para los clientes, haciendo de la V-NAND de 9ª generación una solución óptima para aplicaciones futuras.
En el mismo mes que ha iniciado la producción en masa de la V-NAND TLC de 1Tb de 9ª generación, Samsung ha anunciado el lanzamiento del modelo de célula de cuádruple nivel (QLC) para la segunda mitad del año. Este nuevo desarrollo reafirma el compromiso de Samsung con la innovación continua y la satisfacción de las necesidades del mercado en constante evolución.
