Samsung Electronics ha dado un paso crucial en su estrategia para dominar el mercado de memorias de alto ancho de banda (HBM), posicionándose frente a rivales como SK hynix en la competencia por abastecer a gigantes tecnológicos como NVIDIA y AMD. Fuentes del sector han informado que la empresa surcoreana ha obtenido luz verde para la producción masiva de su tecnología DRAM de sexta generación, conocida como 1c DRAM, utilizando un proceso de clase 10 nm.
Este avance representa la culminación de una fase decisiva de desarrollo e investigación, que integra el compromiso de Samsung de actualizar sus generaciones de DRAM cada dos años. Con tasas de rendimiento recientes entre el 50% y 70%, la compañía está lista para expandir su producción en un mercado de memoria en plena transformación, impulsado por la inteligencia artificial.
La producción en masa del nuevo nodo 1c DRAM es estratégica para Samsung en su plan de memorias HBM. La empresa prevé comenzar la fabricación en masa de HBM4 en la segunda mitad de 2025, apoyándose en esta nueva generación de DRAM. En mayo, Samsung adoptó la tecnología de unión híbrida para sus futuras pilas de memoria HBM4, lo que permitirá interfaces de memoria de ultra alto ancho de banda, esenciales para aplicaciones de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento (HPC).
Frente a Samsung, SK hynix, actual líder del mercado HBM, planea su propia producción de HBM4 este año, aunque usando tecnología de quinta generación de DRAM. Si Samsung logra estabilizar su cadena de suministro y escalar su producción eficazmente, podría obtener una ventaja técnica significativa.
No obstante, Samsung enfrenta desafíos críticos, particularmente en superar los procesos de validación de NVIDIA. Esto es crucial para asegurar contratos de suministro a gran escala para sus futuras generaciones de GPUs. Además, Samsung espera validar su HBM3E de 12 capas, que actualmente suministra a AMD y para el cual también busca acuerdos con NVIDIA.
El auge de la inteligencia artificial generativa y la demanda de centros de datos especializados han convertido la memoria en un recurso estratégico y crucial. La producción eficiente y rápida de tecnologías como HBM4 no solo influirá en el rendimiento de los sistemas, sino también en los equilibrios de poder en la industria de semiconductores.
Samsung, con una trayectoria de liderazgo en DRAM y NAND Flash, busca consolidar su posición en el mercado avanzado de HBM, donde la fiabilidad, el ancho de banda y la eficiencia energética son clave. Si supera los retos de validación, podría no solo ganar cuota frente a SK hynix, sino también posicionarse como un socio tecnológico esencial para NVIDIA, AMD y otras plataformas centradas en inteligencia artificial.
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