Rusia avanza con audacia en el ámbito de la tecnología de semiconductores al desvelar una hoja de ruta que podría cambiar su posición en la producción mundial de chips. El plan, revelado por Dmitrii Kuznetsov en X (anteriormente Twitter), establece un cronograma ambicioso que abarca de 2026 a 2037, con el objetivo de desarrollar litografía EUV y de rayos X, alcanzando resoluciones por debajo de 10 nm.
El cronograma incluye la producción de «steppers» de 40 nm en 2026, escáneres de 28/14 nm entre 2029 y 2032, y equipos de 13/9 nm entre 2033 y 2036, con la implementación de EUV completa para 2037. Esta propuesta busca diferenciarse de las tecnologías de ASML al utilizar láseres híbridos de estado sólido, fuentes de plasma de xenón y espejos de rutenio/berilio operando a una longitud de onda de 11,2 nm, en lugar de los 13,5 nm estándar en máquinas EUV occidentales.
La adopción de una longitud de onda de 11,2 nm promete abaratar los procesos frente a la tecnología DUV por inmersión de 193i para nodos de 14-65 nm. Rusia alega que podría reducir el consumo de energía a un tercio y eliminar los problemas de contaminación por estaño en la fuente de luz, planteando una posible ventaja geopolítica. Kuznetsov destaca las contribuciones de científicos rusos a la base tecnológica actual de ASML, sugiriendo que la industria europea podría sufrir si Rusia logra concretar su propuesta, provocando una caída de precios y ventaja tecnológica.
A pesar de que Occidente alcanzó hitos de 28/14 nm hace más de una década, Rusia ofrece por primera vez fechas y tecnologías concretas. La propuesta busca economizar los procesos, pero enfrenta desafíos técnicos significativos, como el brillo necesario de la fuente de xenón y la reflectividad acumulada de los espejos Ru/Be. La realidad técnica señala que cada cambio introduce nuevos desafíos que demandan soluciones rigurosas.
El plan también promete ventajas económicas al eliminar la inmersión y múltiples exposiciones en nodos maduros, pero restan cuestionamientos sobre si las cifras propuestas pueden garantizar un rendimiento competitivo con los equipos DUV actuales. Kuznetsov insinúa que Rusia no solo está compitiendo, sino también reclamando un legado en el desarrollo tecnológico. Sin embargo, la industrialización de EUV por parte de ASML, respaldada por décadas de despliegue global y una cadena de suministro robusta, presenta una ventaja difícil de superar.
A medida que Rusia intenta avanzar dos décadas en una, la comunidad tecnológica observa con escepticismo pero también con interés. Si se cumplen los hitos fijados para los próximos años, la litografía EUV rusa podría transformarse de una mera promesa a una alternativa real, aunque enfrenta desafíos monumentales.
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