En un hito sin precedentes en la industria de semiconductores, SK hynix ha comenzado la producción en masa de su innovadora memoria NAND QLC de 321 capas. Este avance tecnológico promete revolucionar los centros de datos para inteligencia artificial (IA) al ofrecer una solución donde la eficiencia energética y la capacidad máxima son cruciales. Con 2 terabits por chip, el nuevo dispositivo duplica la capacidad de sus predecesores, liderando una nueva generación de SSDs de ultra alta capacidad, primero en PC y luego en el sector empresarial y smartphones.
La memoria NAND se clasifica según los bits por celda: SLC, MLC, TLC y QLC. Cada tecnología ofrece una combinación distinta de velocidad, coste y densidad. La QLC de 321 capas de SK hynix no solo ofrece récords de densidad, sino que también incluye técnicas que mitigan las desventajas tradicionales de esta tecnología.
Uno de los desafíos significativos de la memoria QLC es la pérdida de rendimiento en operaciones simultáneas. SK hynix ha abordado este problema aumentando los «planes» de operación dentro del chip de 4 a 6. Este cambio ha permitido doblar la velocidad de transferencia, mejorar el rendimiento de escritura en un 56% y aumentar la eficiencia energética en un 23%.
La hoja de ruta de SK hynix es clara: iniciar con los SSDs para PC, avanzar al sector empresarial y finalmente, a smartphones premium. La visión es expandirse en el mercado de servidores de IA, diferenciándose con su tecnología 32DP, que permite apilar hasta 32 chips en un solo encapsulado, multiplicando la densidad sin aumentar el tamaño.
El auge de la inteligencia artificial está poniendo a prueba la infraestructura de almacenamiento global. Los modelos generativos multimodales producen un volumen de datos sin precedentes. Según IDC, los data lakes de IA representan más del 25% del crecimiento anual de almacenamiento empresarial, y se espera que el mercado de SSD de ultra capacidad alcance los 25.000 millones de dólares en 2027.
En este escenario, la memoria QLC de alta densidad y eficiencia energética de SK hynix ofrece una ventaja competitiva frente a rivales como Micron, Samsung y Kioxia. La compañía busca consolidarse como proveedor integral de memoria para IA, combinando DRAM de alto rendimiento, NAND de ultra capacidad y empaquetados 3D avanzados.
La pregunta del millón es hasta dónde podrá llegar esta escalada de capas. Aunque hoy la tecnología ha alcanzado las 321 capas, los expertos predicen que la barrera de las 500 capas podría superarse antes de 2030. No obstante, cada avance trae consigo complejidades en fiabilidad, latencia y coste.
En conclusión, con su NAND QLC de 321 capas, SK hynix no solo rompe un récord técnico, sino que marca un camino claro en el almacenamiento en la era de la inteligencia artificial. Ofrecer soluciones con más capacidad, menor coste y menor impacto energético es el reto que la compañía está dispuesta a liderar.
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