Durante el simposio VLSI 2025 celebrado en Kioto, Japón, la compañía Intel ha revelado las destacadas capacidades de su nuevo nodo de fabricación Intel 18A. Este avance tecnológico se apoya en las tecnologías RibbonFET (GAA) y PowerVia, alcanzando importantes progresos en rendimiento, eficiencia energética y densidad, superando con creces a sus predecesores como el nodo Intel 3.
Según se detalló en la ponencia T1-1 durante el evento, el nuevo nodo Intel 18A logra un incremento del 30% en densidad, una reducción del 36% en el consumo energético y un aumento en rendimiento de hasta un 25% en comparación con el nodo Intel 3. Este desarrollo es un paso significativo en la estrategia de Intel Foundry Services (IFS), reafirmando su compromiso por recuperar el liderazgo en la industria de semiconductores.
El nodo Intel 18A incluye bibliotecas de alto rendimiento (HP) y alta densidad (HD), facilitando un diseño optimizado y una mayor facilidad de implementación para sus asociados. Además, es compatible con productos propios de Intel y con los diseños de terceros, en línea con el modelo de fundición abierta que la compañía está promoviendo.
La base de estas mejoras está en la introducción de RibbonFET, la primera arquitectura de transistores gate-all-around (GAA) de Intel que marca el fin de la era FinFET tras más de una década de protagonismo. Esta innovadora arquitectura, que apila verticalmente canales con forma de cinta, permite un mayor control de la corriente, mayor eficiencia y escalabilidad.
Acompañando a RibbonFET, se presenta PowerVia, una arquitectura novedosa para la distribución de energía por la parte posterior del chip. Al trasladar las conexiones de alimentación a la parte posterior, PowerVia libera espacio en el frontal del silicio para flujos de datos, elevando así el rendimiento y reduciendo el consumo energético.
Estas tecnologías combinadas le permiten a Intel alcanzar niveles sin precedentes de eficiencia y rendimiento, simplificar el enrutamiento de diseño de circuitos y reducir interferencias, favoreciendo la integración de funciones complejas.
En cuanto a la comparativa con generaciones anteriores, la evolución es notable. Con el proceso Intel 7, basado en 10 nm mejorados, se iniciaron avances que con Intel 4 e Intel 3 se vieron potenciados por la litografía EUV. El paso hacia el nodo Intel 20A (~2 nm) representó un avance importante, pero el actual Intel 18A (~1,8 nm) lo supera con mejoras adicionales en escalado, rendimiento y eficiencia.
Los primeros procesadores en incorporar Intel 18A serán las plataformas Panther Lake, orientadas a portátiles, previstos para lanzamiento en la segunda mitad de 2025. Además, gigantes como NVIDIA ya están explorando este nodo para futuros chips de alto rendimiento.
Intel planea ofrecer el nodo 18A como tecnología abierta dentro de su división de fundición, permitiendo a empresas externas aprovechar estas innovaciones para sus propios diseños. Este movimiento busca desafiar a rivales como TSMC y Samsung, al ofrecer un ecosistema competitivo basado en tecnologías punteras como RibbonFET y PowerVia.
Este nodo no solo marca un avance técnico, sino que también subraya la intención estratégica de Intel: reafirmar su posición como líder en la fabricación de semiconductores. Con la producción a gran escala programada para 2025, el Intel 18A anuncia una nueva era en el diseño y producción de chips para la próxima generación de dispositivos inteligentes, centros de datos y soluciones de inteligencia artificial.
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