Infineon Technologies AG ha dado un paso significativo en la carrera por dominar el mercado de semiconductores al anunciar que su proyecto para fabricar chips de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 milímetros progresa según lo planeado. La compañía alemana, operando bajo el modelo de fabricante de dispositivos integrados (IDM), proyecta ofrecer muestras de estos chips a sus clientes en el cuarto trimestre de 2025, consolidando su posición como líder en tecnología de potencia avanzada.
Este anuncio adquiere un peso especial tras la declaración de TSMC sobre el cierre de su línea de producción de GaN, dejando a Infineon en una posición privilegiada como el primer fabricante capaz de implementar con éxito tecnología GaN de 300 mm para producción masiva. Este avance no solo marca un hito tecnológico, sino que representa una oportunidad de liderazgo en un mercado en constante evolución.
La transición de las tradicionales obleas de 200 mm a las de 300 mm no es trivial. Esta innovación permite producir un 130% más de chips por oblea, mejorando la eficiencia y permitiendo competir en costes con productos de silicio equivalentes. Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio GaN de Infineon, destacó que con esta escala de fabricación, la empresa podrá ofrecer mayor valor a sus clientes y avanzar en competitividad.
Infineon se distingue en el mercado por dominar tres tecnologías clave de semiconductores de potencia: silicio, carburo de silicio y nitruro de galio. Este dominio le permite brindar soluciones personalizadas para sectores emergentes como automoción eléctrica, inteligencia artificial, robótica, energía solar y cargadores rápidos. El GaN es especialmente apreciado por su alta densidad de potencia y eficiencia térmica, lo que lo convierte en una opción ideal para dispositivos compactos y eficientes.
El informe del Yole Group pronostica un crecimiento anual del 36% en el mercado de GaN, alcanzando los 2.500 millones de dólares en 2030. Infineon, con más de 40 nuevos productos GaN lanzados en el último año, está bien posicionado para liderar este crecimiento. La retirada de TSMC del segmento GaN refuerza aún más la posición de Infineon como proveedor preferente de soluciones de alta fiabilidad y competitivas en coste.
La integración de la tecnología GaN en obleas de 300 mm representa un hito en la industria de semiconductores, acelerando la transición hacia dispositivos más eficientes y sostenibles. Con su sólida capacidad de fabricación y su extensa cartera de propiedad intelectual, Infineon emerge como un referente europeo y global en esta nueva era post-silicio. En un contexto de creciente demanda de soluciones energéticas eficientes y sostenibles, la apuesta de Infineon por el GaN se perfila como un factor transformador en el sector tecnológico.
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