El 7 de agosto de 2024, Imec, un prominente líder global en investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anunció avances significativos en la litografía EUV (Extreme Ultraviolet) de Alta NA (Numerical Aperture). Estos logros se realizaron en el laboratorio conjunto ASML-imec de Litografía EUV de Alta NA en Veldhoven, Países Bajos.
Imec reveló la exitosa impresión de estructuras lógicas y de DRAM con una sola exposición utilizando el escáner EUV de Alta NA TWINSCAN EXE:5000. Entre los hitos alcanzados figuran estructuras lógicas con líneas metálicas densas de 9.5 nm, equivalentes a un paso de 19 nm, y la impresion de vías aleatorias con una distancia centro a centro de 30 nm. Además, se han logrado características 2D con un paso de 22 nm y un diseño específico para DRAM con un patrón de P32 nm, todo ello en una sola exposición.
Estos resultados subrayan la capacidad del ecosistema para habilitar la litografía EUV de Alta NA de alta resolución con una sola exposición. Los avances en esta tecnología son esenciales para continuar con la miniaturización de los dispositivos lógicos y de memoria, lo que permitirá diseños más complejos y reducirá tanto los costos como la complejidad de los procesos de fabricación.
Steven Scheer, vicepresidente senior de tecnologías y sistemas de computación en Imec, expresó: “Estamos emocionados de demostrar la primera capacidad de impresión de lógica y memoria habilitada por High NA en el laboratorio conjunto de ASML-imec, como una validación inicial de las aplicaciones industriales. Los resultados muestran el potencial único de la EUV de Alta NA para permitir la impresión de características 2D agresivamente escaladas, mejorando la flexibilidad del diseño y reduciendo el costo y la complejidad del patrón.”
Luc Van den hove, presidente y CEO de Imec, añadió: “Los resultados confirman la capacidad de resolución de la litografía EUV de Alta NA, orientada a capas metálicas con paso sub 20 nm en una sola exposición. La EUV de Alta NA será fundamental para continuar la escalabilidad dimensional de las tecnologías lógicas y de memoria, uno de los pilares clave para avanzar en las hojas de ruta hacia la era de los ‘ångstroms’. Estas demostraciones tempranas solo fueron posibles gracias al establecimiento del laboratorio conjunto ASML-imec, que permite a nuestros socios acelerar la introducción de la litografía High NA en la fabricación.”
La colaboración entre Imec y ASML, junto con sus socios, ha sido el fruto de un trabajo preparatorio exhaustivo. Este incluye la preparación de pilas de obleas dedicadas, resinas avanzadas, capas inferiores y fotomáscaras, así como la transferencia de procesos base de EUV de Alta NA al escáner. La presentación de estos avances marca un paso significativo hacia la integración de la litografía EUV de Alta NA en la manufactura a gran escala, impulsando el futuro de la tecnología de semiconductores.
Estos desarrollos prometen revolucionar la industria de los semiconductores, asegurando la pertinencia tecnológica y económica de futuras generaciones de dispositivos.
