China ha logrado un avance significativo en su búsqueda de autosuficiencia tecnológica, especialmente en el competitivo campo de los semiconductores, con el desarrollo de un láser de luz ultravioleta profunda (DUV) de 193 nanómetros. Este desarrollo se produce en un contexto donde la nación asiática busca reducir su dependencia de los equipos de litografía importados de Europa y Japón, que son esenciales para la producción de chips.
El proyecto ha sido liderado por la prestigiosa Academia de Ciencias de China, destacándose por la creación de un láser compacto y de estado sólido que no solo iguala las capacidades de los láseres excímeros tradicionales, sino que también mejora su eficacia a través de una estructura optimizada. Este diseño no solo beneficiará a la industria de semiconductores, sino que también tiene el potencial de influir significativamente en los procesos de inspección óptica, comunicación cuántica y manipulación de materia a nivel microscópico.
El desarrollo del láser tiene como pieza clave un sistema de 1.030 nm dividido en dos caminos: uno transforma el haz a 258 nm mediante armónicos y el otro se combina a través de un amplificador óptico paramétrico (OPA) para crear la luz de 193 nm. Este enfoque permite generar un haz preciso y poderoso, con una potencia media de 70 milivatios y un ancho de línea de menos de 880 MHz.
Por primera vez, los investigadores han logrado crear un haz de vórtice de 193 nm a partir de un láser de estado sólido, utilizando una innovadora técnica que incluye una placa de fase espiral. Esta técnica permite transportar momento angular orbital, crucial para aplicaciones de comunicación avanzada e industrias tecnológicas.
El nuevo láser no solo mejora la eficiencia y reduce los costos en comparación con los sistemas excímeros existentes, sino que también elimina la dependencia de cristales exóticos como el KBBF, que ha sido un obstáculo para la escalabilidad industrial. Además, con mejoras futuras en los componentes y un incremento en la potencia de entrada, se espera que el sistema sea capaz de generar haces UV más potentes, alcanzando incluso niveles de vatios.
Este avance posiciona a China un paso más cerca de la independencia tecnológica en la producción de semiconductores avanzados, sobre todo en nodos maduros. El impacto potencial en el mercado global de chips es considerable, a medida que este nuevo sistema podría facilitar no solo avances en la litografía avanzada sino también en los sistemas de comunicación cuántica.
Finalmente, los expertos indican que, con un perfeccionamiento continuo del láser, el sistema podría servir como cimiento para futuras fuentes de luz EUV, acercando a China aún más al liderazgo en el mercado global de semiconductores. Este desarrollo no solo es testimonio de la búsqueda incansable de la autosuficiencia tecnológica del país, sino también de su aspiración de jugar un papel dominante en la escena global de fabricación de chips.
